摘要：采用分子束外延技術(shù)在六角鉛鋅礦結(jié)構(gòu)CdSe單晶基片(0001)表面生長了立方結(jié)構(gòu)PbSe薄膜,通過對所生長PbSe薄膜的X射線衍射(XRD)及透射電鏡(TEM)分析,闡明了所生長立方PbSe薄膜與六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)CdSe(0001)的外延關(guān)系,高分辨率TEM分析結(jié)果顯示:CdSe基片與PbSe薄膜之間界面清晰,PbSe薄膜的晶體結(jié)構(gòu)完整,其電子衍射譜的各級衍射斑點無明顯畸變;XRD分析結(jié)果顯示:所生長立方PbSe薄膜為(100)取向,PbSe薄膜與CdSe單晶的面內(nèi)外延關(guān)系為PbSe[110]//CdSe[100],并呈現(xiàn)出三種不同面內(nèi)取向晶粒鑲嵌排列的微觀結(jié)構(gòu),這表明:雖然六角鉛鋅礦結(jié)構(gòu)CdSe(0001)面與立方PbSe(100)面具有不同的對稱性,但仍能生長出高質(zhì)量的PbSe薄膜,并為PbSe薄膜的應(yīng)用奠定了可能。