不同濃度Pr摻雜ZnO電子結構的第一性原理計算
作者：李丹丹; 劉桂安; 劉丹楓; 趙璨; 夏桐; 雷博程; 趙靜; 張麗麗 伊犁師范學院物理科學與技術學院; 新疆凝聚態(tài)相變與微結構實驗室; 新疆伊寧835000; 南京大學物理學院; 國家固體微結構重點實驗室; 江蘇南京210093
摘要：運用第一性原理贗勢方法計算純ZnO體系和不同濃度摻雜體系Zn8-XPrXO(8X=1,2,3)的電子結構、結合能和鍵布居.計算結果表明:在3種摻雜體系中,Zn7PrO8體系的總能量以及結合能都是最低的,表明了在所有摻雜體系中Zn7PrO8穩(wěn)定性最好、易于形成.能帶結構圖譜表明,在3種摻雜體系中,Zn6Pr2O8體系和Zn5Pr3O8體系的費米能級穿過導帶呈現(xiàn)n型半導體特征;摻雜后能級數(shù)量明顯增加,說明自由電子從價帶躍遷到導帶所需能量減少,且禁帶寬度幾乎為0,表明摻雜后的晶體已經(jīng)非常接近于金屬化.
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