He^2＋注入六方SiC晶體損傷效應(yīng)的拉曼光譜研究
作者：韓驛; 彭金鑫; 李炳生; 王志光; 魏孔芳; 劉會平; 張利民 中國科學(xué)院近代物理研究所; 蘭州730000; 中國科學(xué)院大學(xué); 北京100049; 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院; 蘭州730000
摘要：利用拉曼光譜研究了He^2＋ 注入六方SiC晶體樣品時的損傷缺陷隨注量的變化關(guān)系，并采用直接碰撞/缺陷模擬模型與多級損傷累積模型，模擬了室溫及723，873，1 023 K 下晶體樣品的無序度隨注量的變化關(guān)系。測試結(jié)果表明：隨著注量的增加，晶體樣品無序度增大，樣品的拉曼特征峰強度減小。
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