摘要：通過硅基微結(jié)構(gòu)與二氧化釩(VO2)相變薄膜相結(jié)合,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種電控太赫茲幅度調(diào)制器件。該調(diào)制器具有很高的太赫茲波透射率與極低的器件插損,同時具有大的工作帶寬和調(diào)制深度。仿真和實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果表明,該調(diào)制器對太赫茲波的增透響應(yīng)帶寬為0.25~0.95THz波段。在0.4~0.85THz頻段內(nèi)(約450GHz寬帶)的透射率超過80%,相較于硅襯底的透射率增加了10%以上,且透射率最高可達(dá)85%。對該器件電調(diào)控后,調(diào)制深度可達(dá)76%以上,器件透射率變化幅度可達(dá)65%。因低插損、大調(diào)制幅度以及寬工作帶寬,該太赫茲調(diào)制器在太赫茲成像和通信系統(tǒng)中具有重要的應(yīng)用價值。