W波段InP DHBT寬帶高功率壓控振蕩器
作者：王溪; 姚鴻飛; 蘇永波; 丁武昌; 阿瑟夫; 丁芃; 童志航; 金智 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心; 北京100029; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)電子電氣與通信工程學(xué)院; 北京100049
摘要：成功實(shí)現(xiàn)了一款具有高輸出功率和寬頻率調(diào)諧范圍的基波壓控振蕩器.其制作工藝為0.8μm InP DHBT工藝,晶體管的最大fT和fmax分別為170和250 GHz.電路核心部分采用了為高頻應(yīng)用改進(jìn)的平衡式考畢茲拓?fù)?在后面添加一級(jí)緩沖放大器來抑制負(fù)載牽引效應(yīng),并提升了輸出功率.DHBT的反偏CB結(jié)作為變?nèi)荻O管來實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)諧.芯片測(cè)試結(jié)果表明,壓控振蕩器的頻率調(diào)諧范圍為81~97.3GHz,相對(duì)帶寬為18.3%.在調(diào)諧頻率范圍內(nèi)最大輸出功率為10.2dBm,輸出功率起伏在3.5dB以內(nèi).在該壓控振蕩器的最大調(diào)諧頻率97.3GHz處相位噪聲為-88dBc/Hz@1MHz.
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