摘要：采用CST電磁工作室和粒子工作室軟件對(duì)負(fù)離子試驗(yàn)源的會(huì)切磁場(chǎng)、過濾磁場(chǎng)、電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的位形及引出束流的光學(xué)進(jìn)行了模擬計(jì)算。通過掃描會(huì)切磁體、過濾磁體、電子偏轉(zhuǎn)磁體的表面磁場(chǎng)參數(shù),確定了最佳的磁體結(jié)構(gòu)和運(yùn)行參數(shù):周邊6圈會(huì)切磁體,會(huì)切磁體表面磁場(chǎng)4kG,過濾磁體表面磁場(chǎng)5.5kG,電子偏轉(zhuǎn)磁體表面磁場(chǎng)2.5kG,引出電壓5~20k V,加速電壓50~160k V,引出負(fù)離子束的光學(xué)性能滿足NBI注入要求。