摘要：通過采用常溫、簡單、成本低且與產(chǎn)線完全兼容的金屬輔助化學刻蝕方法（MACE）,在太陽電池正面制備硅納米線、硅納微米復(fù)合結(jié)構(gòu)以及硅倒金字塔等結(jié)構(gòu),并且采用不同的鈍化方式對太陽電池正面和背面實施鈍化,以期提高器件的光學和電學性能.結(jié)果表明,在原子層沉積（ALD）的氧化鋁對單晶硅納微米結(jié)構(gòu)上,同時實現(xiàn)了最低的光學減反（1.38%）和最低的表面復(fù)合速率（44.72cm/s）,基于該結(jié)構(gòu)的n型太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率達到21.04%.同時,制備出了光電轉(zhuǎn)換效率為20.0%,PECVD-SiO2/SiNx疊層鈍化的標準太陽電池尺寸的p型硅基納微米復(fù)合結(jié)構(gòu)太陽電池器件.進一步研究顯示為一種新型硅倒金字塔結(jié)構(gòu)陣列,具備更優(yōu)異的光電性能.這些基于MACE的納微米結(jié)構(gòu)陣列太陽電池顯示出在新一代高效太陽電池方面的極強競爭力.