摘要：電弧離子鍍沉積膜層具有放電溫度高、離化率高和沉積速率快等特點(diǎn),可以在較低溫度下促進(jìn)Si-C成鍵,是獲得含Si-C鍵膜層的一種經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方法。本文使用Ti-Si合金靶,在Ar和C2H2氣體環(huán)境下,在鋁合金襯底上制備了Ti-Si-C膜層,并分析和研究了不同弧流下沉積膜層的相組成、磨損和腐蝕性能。結(jié)果顯示,不同弧流下沉積的膜層是由B1型Ti C相、立方結(jié)構(gòu)的Si C相和金屬Ti相組成的復(fù)合結(jié)構(gòu);大弧流由于放電溫度高,有利于膜層中Si-C鍵的形成.弧流增加,靶材蒸發(fā)速率加快,沉積膜層的厚度增加,同時(shí),由于靶材附近單位時(shí)間內(nèi)氣化和離化的Si和Ti數(shù)量增加,沉積膜層中Si和Ti含量和增加而C含量降低.弧流增加,膜層中碳化物總含量減少,造成膜層摩擦系數(shù)逐漸增加而耐磨性降低,但膜層的耐腐蝕性能增加.適當(dāng)弧流下的沉積膜層可獲得優(yōu)異的磨損和腐蝕綜合性能.