摘要：在長(zhǎng)余輝發(fā)光物理機(jī)制的研究中,確定發(fā)光材料中的缺陷能級(jí)是非常重要的。本文通過(guò)高溫固相法制備了兩組SrAl2O4∶Dy3+和SrAl2O4∶Eu2+樣品,并采用漫反射光譜測(cè)定了SrAl2O4中一系列與Dy3+和Eu2+相關(guān)的吸收峰。對(duì)于SrAl2O4∶Dy3+和SrAl2O4∶Eu2+,在其吸收譜的較低能量(長(zhǎng)波長(zhǎng))和較高能量(短波長(zhǎng))區(qū)域內(nèi)分別存在一組吸收峰。通過(guò)這些吸收峰可確定Dy3+和Eu2+摻雜在SrAl2O4帶隙中引入的陷阱深度。結(jié)果表明Dy3+離子能夠在SrAl2O4中形成淺能級(jí)和深能級(jí)陷阱,而Eu2+離子僅會(huì)形成淺能級(jí)陷阱。與文獻(xiàn)報(bào)道的陷阱相比較,這些陷阱大部分和其它方法測(cè)得的數(shù)據(jù)相一致,小部分則是首次報(bào)道,可能是其它方法的測(cè)試范圍所限而無(wú)法測(cè)得。我們認(rèn)為距離導(dǎo)帶0.6至1.2eV范圍內(nèi)的Dy3+相關(guān)陷阱在SrAl2O4∶(Eu2+,Dy3+)長(zhǎng)余輝發(fā)光過(guò)程中起著關(guān)鍵的作用。