摘要：為滿足可穿戴集成電路的低功耗應(yīng)用需求,設(shè)計(jì)了一種自偏置全集成的帶隙基準(zhǔn)電壓電路。該電路采用純CMOS結(jié)構(gòu),利用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的閾值電壓與溫度呈反比、熱電壓與溫度呈正比的關(guān)系,通過電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與晶體管尺寸優(yōu)化,獲得一個(gè)與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓。電路中的MOSFET偏置于工作電流極低的亞閾值區(qū),從而有效降低了整個(gè)帶隙基準(zhǔn)電路的功耗。采用CSMC 0.18μm CMOS工藝,在Aether軟件環(huán)境下完成了電路的仿真和版圖設(shè)計(jì)。后仿真結(jié)果表明,室溫下,電源電壓為3.3 V時(shí),電路總電流為81.2 nA,輸出基準(zhǔn)電壓為1.03 V,啟動(dòng)時(shí)間約為0.48μs,功耗約為268 nW,在-40~125℃的范圍內(nèi)溫度漂移系數(shù)為3.2×10-5/℃。流片后在片測(cè)試結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓在1.6~3.3 V之間變化時(shí),電路輸出電壓穩(wěn)定。